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山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示

MPCVD

關(guān)鍵詞：

產(chǎn)品 新聞 下載

MPCVD設(shè)備

? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜

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SiC高溫氧化設(shè)備

專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)，加熱腔與工藝腔獨立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度。

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MPCVD設(shè)備

? 微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜

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