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坩堝下降法(vb)長(zhǎng)晶爐
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本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(zhǎng)(無(wú)銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開(kāi)始通過(guò)預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過(guò)緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。
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